JXC Precision Ceramics Co., Ltd ir atzīta pieredze pielāgotu augsto tehnoloģiju keramikas komponentu risinājumu jomā, piemēram, BN, B4C, AlN. Mēs piedāvājam plašu augstas veiktspējas iztvaicēšanas laivu klāstu apšuvuma rūpniecībai, BN, B4C, AlN precīzas keramikas komponentus pārklājuma rūpniecībā, medicīnas rūpniecībā, elektronikā, kodolenerģijā, naftas un gāzes elektroenerģijas ražošanā. Kopš tās dibināšanas 1999. gadā esam pieredzējuši trīs nepārtrauktas attīstības posmus un esam pastāvīgi stiprinājuši mūsu sadarbības pētniecības un attīstības iespējas, pamatojoties uz stabiliem produktiem, lai klientiem nodrošinātu profesionālāku dizainu un produktus.
Kāpēc izvēlēties mūs
Bagātīga pieredze
Bora nitrīda, bora karbīda, alumīnija nitrīda keramikas vakuuma karstās presēšanas un saķepināšanas jomā mēs esam uzkrājuši dziļu ražošanas pieredzi un lepojamies, ka mums ir elitāra komanda, kurā ir daudz vecāko nozares ekspertu un tehniķu.
Lieliska komanda
Mūsu uzņēmums lepojas ar spēcīgām tehniskajām iespējām, tostarp 2 vecākajiem inženieriem, 3 profesionāliem inženieriem un vairāk nekā 50 dažāda veida tehniskajiem darbiniekiem. Mūsu pētnieku komanda sastāv no 3 profesoriem un 6 doktorantiem, kuru zināšanas un pētniecības iespējas nodrošina stabilu pamatu mūsu tehnoloģiskajām inovācijām un produktu attīstībai.
Mūsu patenti
Turklāt mūsu uzņēmumam pašlaik ir 4 patenti, kas saistīti ar bora nitrīda, bora karbīda un alumīnija nitrīda keramikas materiāliem. Šie patenti ne tikai parāda mūsu dziļās tehniskās zināšanas šajā jomā, bet arī nodrošina stabilu pamatu, lai mēs varētu nepārtraukti ieviest novatoriskus produktus un apmierināt klientu vajadzības.
Uzlabots aprīkojums
Mūsu ražošanas cehs ne tikai lepojas ar modernām ražošanas iekārtām un precīzām pārbaudes metodēm, bet arī uzsver darbnīcas vides tīrību un sakārtotību un saprātīgas pārvaldības ieviešanu.
H-BN ir slāņveida struktūra, kas līdzīga grafītam, un tai ir laba elektriskā izolācija, siltumvadītspēja un ķīmiskā stabilitāte, un tas var saglabāt šīs īpašības augstā temperatūrā.
AlN, kas lepojas ar izcilu siltumvadītspēju un zemu siltuma izplešanās koeficientu, ir izcils materiāls siltuma triecienizturībai.
Titāna diborīds (TiB₂) kā augstas veiktspējas materiāls pastāv kā pelēks vai pelēks-melns pulveris ar sešstūra kristāla struktūru. Tā kušanas temperatūra ir 2900 grādi, cietība (HV) ir 34 GPa un blīvums 4,52.
Alumīnija nitrīds (AlN) ir atomu kristāls, kas pieder dimantiem līdzīgiem nitrīdiem, kas spēj uzturēt stabilitāti līdz 2200 grādiem. Tam ir augsta izturība istabas temperatūrā, un tā izturība samazinās salīdzinoši lēni, paaugstinoties temperatūrai. AlN, kas lepojas ar izcilu siltumvadītspēju un zemu siltuma izplešanās koeficientu, ir izcils materiāls siltuma triecienizturībai. Tā spēcīgā izturība pret izkausētu metālu eroziju padara to par ideālu tīģeļa materiālu tīra dzelzs, alumīnija vai alumīnija sakausējumu kausēšanai un liešanai. Turklāt AlN ir elektriskais izolators ar labām dielektriskām īpašībām, kas parāda daudzsološu potenciālu izmantošanai kā elektriskiem komponentiem. AlN pārklājums uz gallija arsenīda virsmām var aizsargāt to no jonu implantācijas atkausēšanas laikā.
Alumīnija nitrīda pulvera priekšrocības
Augsta siltumvadītspēja
Galvenais sviras efekts ir efektīva siltuma novadīšana no lielas strāvas vai lieljaudas elektroniskajiem komponentiem, lai novērstu to pārkaršanu, un uzlabotu visu elektronisko komponentu dzīves ciklu un uzticamību.
Elektriskā izolācija
Lieliskas alumīnija oksīda shēmas plates izolācijas īpašības tiek izmantotas, ja augstsprieguma komponenti ir iekļauti PCB ar minimālu attālumu viens no otra. Izolācija ir labāka par fr4 vai citiem silīcija materiāliem.
Termiskās izplešanās stabilitāte
Alumīnija nitrīda pulvera termiskais koeficients ir zems, un īpašība ir mazāka izplešanās termiskās slodzes ietekmē. To var izmantot kopā ar silīciju, lai citi pusvadītāju izstrādājumi darbotos ideālos apstākļos.
Izturība
Alumīnija nitrīda pulvera izturīgais raksturs nodrošina mehānisku un ķīmisku stabilitāti, nodrošinot produkta ilgmūžību un uzticamību automobiļu, kosmosa vai medicīnas vidē.
Netoksicitāte
Alumīnija nitrīda pulvera netoksiskais raksturs palīdz viegli ražot un apstrādāt.
Alumīnija nitrīda pulvera veidi
Tiešās savienošanas vara alumīnija nitrīda PCB
Vara plēve vai vara slānis tiek tieši savienots ar alumīnija nitrīda keramikas pamatni, izmantojot augstas temperatūras krāsni. Šis vara slānis ir iestiprināts ar substrātu ar dielektrisku izolatoru starp tiem. Vara slānis tiek iegravēts vēlākā posmā, veidojot elektroniskās shēmas.
Biezplēves alumīnija nitrīda PCB
Ja alumīnija nitrīda substrāts ir pārklāts ar biezu vadošu materiālu, piemēram, sudrabu (Ag) vai zeltu (Au), lai izveidotu vadošu slāni. Šis slānis ir iegravēts, bet to var izmantot tikai mazjaudas vai vidēja līmeņa strāvas vadīšanai.
Pamatnes materiāli un iepakojuma materiāli
Spēcīgi attīstoties mikroelektronikai un pusvadītāju tehnoloģijai, strāvas jaudas pusvadītāju ierīcēm vienlaikus jābūt ar augstu spriegumu, lielu strāvu, lielu jaudas blīvumu, maziem izmēriem un citām īpašībām. Elektronisko substrātu siltuma plūsmas blīvums ir ievērojami palielinājies, un uzmanības centrā ir kļuvusi stabilas darbības vides uzturēšana iekārtās.
Elektrostatiskā patrona vafeļu apstrādei
Plākšņu apstrādes process mūsdienu pusvadītāju ražošanas procesos ietver vairākus procesus. Vafeles ir jāpārvieto uz priekšu un atpakaļ starp simtiem apstrādes iekārtu, tāpēc ir nepieciešama ierīce vafeles nostiprināšanai. Elektrostatiskā patrona var nostiprināt vafeles, izmantojot elektrostatisko adsorbciju. Adsorbcijas spēks ir vienmērīgs un stabils. Vafele nelocīsies un nedeformēsies, nodrošinot apstrādes precizitāti un vafeles tīrību. Pašreizējā parastā elektrostatiskā patronas tehnoloģija galvenokārt izmanto alumīnija oksīda keramiku vai alumīnija nitrīda keramiku kā galveno materiālu. Parastajai silīcija vafeļu apstrādei augstas tīrības pakāpes alumīnija oksīds vai safīrs var atbilst prasībām.
Pamatnes materiāls
AlN kristāls ir ideāls substrāts GaN, AlGaN un AlN epitaksiālajiem materiāliem. Salīdzinot ar safīra vai SiC substrātiem, AlN un GaN ir augstāka termiskā atbilstība un ķīmiskā savietojamība, kā arī mazāks spriegums starp substrātu un epitaksiālo slāni. Tāpēc, ja AlN kristālu izmanto kā GaN epitaksiālo substrātu, tas var ievērojami samazināt ierīces defektu blīvumu, uzlabot ierīces veiktspēju un nodrošināt labas pielietošanas iespējas augstas temperatūras, augstfrekvences un augstas temperatūras sagatavošanā. - jaudas elektroniskās ierīces. Turklāt, izmantojot AlN kristālu kā AlGaN epitaksiskā materiāla substrātu ar augstu alumīnija (Al) komponentu, var arī efektīvi samazināt defektu blīvumu nitrīda epitaksiālajā slānī un ievērojami uzlabot nitrīda pusvadītāju ierīču veiktspēju un kalpošanas laiku. Ir veiksmīgi izmantoti augstas kvalitātes saules žalūziju detektori, kuru pamatā ir AlGaN.
Plānās plēves materiāli
Pateicoties AlN plašajai joslas atstarpei, spēcīgai polarizācijai un joslas platumam 6,2 eV, alumīnija nitrīda plānās kārtiņas materiālam ir daudz lielisku fizikālo un ķīmisko īpašību, piemēram, augsta pārrāvuma lauka stiprums, augsta siltumvadītspēja, augsta pretestība un augsta Pateicoties ķīmiskajai un termiskajai stabilitātei, kā arī labajām optiskajām un mehāniskajām īpašībām, to plaši izmanto kā izolācijas līdzekli un izolācijas materiālu elektronisko ierīču un integrālo shēmu iepakojumā. Augstas kvalitātes AlN plēvei ir arī ārkārtīgi augsts ultraskaņas pārraides ātrums, mazi akustisko viļņu zudumi, ievērojama pjezoelektriskā savienojuma konstante un siltuma izplešanās koeficients, kas līdzīgs Si un GaAs.
Alumīnija nitrīda pulvera īpašības
Siltumvadītspēja
Neticamā siltumvadītspēja svārstās no 120 līdz 200 W/mK. Šī alumīnija nitrīda PCB īpašība palīdz nodrošināt siltuma pārvaldību tādās lietojumprogrammās kā RF/mikroviļņu krāsns vai lieljaudas komutācijas ierīces.
Termiskā izplešanās
Termiskā izplešanās ir zema, salīdzinot ar līdzīgiem silīcija materiāliem. Termiskās izplešanās koeficients ir CTE< 4ppm/C which reduces the failure of components as the dielectric strength is also higher.
Elektriskā izolācija
Keramikai pēc būtības ir lieliskas izolācijas īpašības, kas nodrošina elektrisko noplūdi un izolē elektroniskās sastāvdaļas ar 10^12 līdz 10^13 omi centimetru. Tas arī nodrošina signāla integritāti augstsprieguma un lielas strāvas lietojumos.
Dielektriskās īpašības
Dielektriskā konstante ir zema un svārstās no 8,5 līdz 10, un tās zemie dielektriskie zudumi ir vēlami augstfrekvences un ātrgaitas elektronisko lietojumprogrammu projektēšanā.
Temperatūras Izturība
The operating temperatures can be as high as>350 grādi pēc Celsija. Alumīnija shēmas plates kušanas temperatūra pārsniedz 2000 grādus pēc Celsija, jo tā arī saglabā struktūras stabilitāti augstākā temperatūrā.
Kā izvēlēties alumīnija nitrīda pulveri
Termiskās izplešanās efekti
Piestiprinot alumīnija nitrīda pulverim lielas presformas vai sastāvdaļas, ņemiet vērā gan PCB, gan komponentu termiskās izplešanās īpašības. Neatbilstoši termiskās izplešanās koeficienti var izraisīt mehānisku spriegumu un uzticamības problēmas.
Siltuma caurumi
Uzlabojiet siltuma pārvaldību, stratēģiski novietojot siltuma caurumus zem karstām ierīcēm. Šie caurumi palīdz efektīvi izkliedēt siltumu caur PCB.
Zemes lidmašīnas
Zemes plaknes var vēl vairāk uzlabot augstfrekvences veiktspēju, samazinot signāla traucējumus un uzlabojot signāla integritāti. Ja nepieciešams, iekļaujiet iezemētās plaknes, īpaši RF un mikroviļņu lietojumos.
Materiālu uzvedība un procesi
Izprast aln materiāla uzvedību ražošanas procesu un montāžas procedūru laikā. Šīs zināšanas ir ļoti svarīgas, lai nodrošinātu alumīnija nitrīda pulvera uzticamību un veiktspēju.
Augstas frekvences apsvērumi
Pievērsiet īpašu uzmanību augstfrekvences signāla maršrutēšanai, pretestības kontrolei un signāla zudumu samazināšanai. Alumīnija nitrīda pulveris ir izcils augstfrekvences lietojumos, tāpēc attiecīgi optimizējiet izkārtojumu.
Termiskā vadība
Alumīnija nitrīda pulveris ir pazīstams ar savu izcilo siltumvadītspēju. Izmantojiet šo īpašību, izstrādājot efektīvus siltuma izkliedes mehānismus, īpaši lietojumos ar lieljaudas komponentiem.
Substrāta ražošana
AlN pulveris tiek veidots sagatavē, izmantojot auksto izostatisko presēšanu (CIP). Šis process ietver AlN pulvera saspiešanu blīvā, cilindriskā formā, izmantojot hidraulisko spiedienu. AlN pulverim pievieno saistvielas, lai atvieglotu materiāla apstrādi formēšanas un saķepināšanas laikā. Formas sagatavi saķepina temperatūrā virs 1800 grādiem slāpeklī. atmosfēra. Saķepināšana savieno AlN pulvera daļiņas kopā, izveidojot pilnībā blīvu keramikas substrātu ar lieliskām termiskām īpašībām. AlN plāksne ir precīzi noslīpēta un pulēta līdz noteiktajam biezumam, nodrošinot gludu un vienmērīgu virsmu turpmākai apstrādei.
Metalizācija
Biezās plēves pastas, kas satur tādus materiālus kā volframs vai molibdēns, tiek uzdrukātas uz AlN substrāta, lai izveidotu ķēdes pēdas. Šie biezās plēves materiāli ir pazīstami ar savu izturību un spēju izturēt augstu temperatūru. Plānās plēves metālus, piemēram, varu vai zeltu, var arī uzklāt uz pamatnes, izmantojot tādas metodes kā izsmidzināšana vai apšuvums. Apdedzināšana augstā temperatūrā tiek izmantota, lai metalizāciju savienotu ar AlN substrāts, nodrošinot drošu elektrisko savienojumu.
Daudzslāņu veidošana
Sarežģītiem PCB, izmantojot līmplēves, var sakraut vairākus AlN substrātus (divpusējas plāksnes) un laminēt kopā. Tas ļauj izveidot daudzslāņu PCB. Caurules un caurumi tiek urbti ar lāzeru cauri sakrautajiem slāņiem un piepildīti ar vadošām pastām, veidojot elektriskus savienojumus starp slāņiem. Dažos gadījumos iekšējo slāņu savienošanai var izmantot aklos un ieraktus caurumus, nodrošinot papildu maršrutēšanas iespējas.
Mājokļu integrācija
AlN substrāti ir labi piemēroti tiešai savienošanai hermētiskajos iepakojumos, kur elektroniskie komponenti ir noslēgti aizsardzībai. Hermētisku blīvējumu izveidošanai var izmantot tādus hermētiķus kā epoksīda, cietlodēšanas materiāli vai stikls, nodrošinot pievienotās elektronikas integritāti.
Mūsu rūpnīca
Sertifikāts
FAQ
Populāri tagi: alumīnija nitrīda pulveris, Ķīnas alumīnija nitrīda pulvera ražotāji, piegādātāji, rūpnīca
